中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？_ZNDS问答

ShevaXp

没有

中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？越来越低nm工艺制程成为了芯片设计上的追求，也是各芯片制造商不得不紧跟设计者的需要。

为何目前芯片设计厂商要追求越来越低的工艺制程，其主要目的是为了在同一大小块芯片上容纳更多的晶体管，增强芯片的性能。同时晶体管之间的间距减少，电容降低，开关频率提升，速度更快更加省电。理论上把14nm芯片做到7nm芯片的性能是有可能的，但是要容纳与7nm相同或者更多数量的晶体管，14nm芯片面积将会变得更大，而且能耗将会很高，在产品上将变得不实用。

比如手机芯片，在巴掌大的手机上如果芯片就占了半巴掌大，显然是不实用的。所以各大芯片设计厂商拼命设计更多晶体管的芯片，制造厂商也拼了命的提升自个的工艺制程满足芯片设计者需求。所以像台积电、三星等，都在竞争生产及解决7nm、5nm，甚至3nm制程工艺，以求在未来占据主动。而中芯国际与他们相差不小的距离，到2019低才开始量产14nm芯片。

这源于中芯国际的设备没有办法达到如此高的要求，同时其生产工艺及技术没有办法实践。早在两年前就花1.3亿美元的高价向荷兰ASML订购了一台7nm工艺制程的光刻机，可惜的是一直遭到美国的阻拦与骚扰，ASML也不得不通过各种搪塞未能交付这一套高端光刻机的理由。

不过好在中芯国际已经能够量产14nm芯片，并且已经和华为有了芯片制造业务，可以说国内除了极少部分需求之外，比如华为7nm手机芯片和紫光展锐6nm手机芯片，14nm工艺芯片已经能够满足了绝大部分需求。

目前中芯国际正在像7nm工艺制程进发，他们正在研发N+1、N+2工艺水准，将会与台积电7nm芯片工艺水准对齐。即使没有高端EUV光刻机设备同样可以制造7nm芯片，只是不能制造7nm EUV工艺芯片。中芯国际的未来可期。

更多分享，请关注《东风高扬》。

中芯国际去美化后的设备可以为华为生产芯片的，荷兰阿斯麦公司表示了DUV光刻机不含美国技术，可以向中国出口。
制程越小并不一定最好。就像摄像头的像素一样，像素越大不代表画质越好。芯片有一台重要的指标是密度，抛开密度谈制程都是耍流氓。制程越小，固体扩散现象越严重，寿命越短。目前肯定不止是差一台光刻机的事，技术也差很多。但是说实话，如果不是光刻机被卡脖子，中国芯片企业不至于技术发展这么慢，很简单的道理，没有光刻机来进行芯片生产实践，这样的情况下技术进步的难度比不为光刻机发愁的台积电三星高了N个档次。

7nm制成，只是耗电小，发热还要高于14nm,只是相同体量下，容纳更多二极管，所以芯片做大一倍，真的不是问题。实际上目前手机芯片内存能力过剩，7nm和5nm对大多数人来说无多大区别。未来12g闪存绝对够用，至少几nm无所谓，同等价位快慢主要看网速。最大的差距是，台积电是ASML的股东，可以优先购买ASML的最新产品。而中芯国际不但不能享受订单优先，还被美国列入禁售名单而拿不到设备。

7nm和5nm实际上没有太大普遍，都是商业宣传和竞争的噱头，目前手机技术是过剩的，服务商的网络信号或是最重要的，信号跟不上，你就是1nm又如何样。28nm已经堪用，16nm基本够用，7nm好用，再往下性能提升有限，效费比低，摩尔定律基本也就到头来。三星和台积电的进步速度会越来越慢，中芯国际或是很有希望追上的。

中国人真累，我们的光刻机才28纳米，离最先进的技术差了足足两代半，但往后一看，实际上90%的国家是产不了光刻机的，即使是最先进的ASML也只是组装，组装精度确实秒杀所有人，不过大部分零件他也都是产不了的。
我一直在想，为啥我们老是在抱怨别人封锁呢？我们就不能在科技的大部分领域走在顶端，去封锁别人？况且人类进化中我们中国人还处在前面，中华文明一直都没有间断，中国人的聪明才智也是最高的。中国真的要奋发图强了，近几百年来一直在瞎折腾加内耗，就是没有一心发展科技，我们加油努力吧，争取再过几十年对不听话的国家或组织有能力轻松使用封锁或制裁的手段，让他们去抱怨被封锁去吧。

能耗和成品频率都是性能，这两个性能指标14nm芯片是不可能做到7nm芯片水平的。你的结论错误。你的成本计算也有问题。制程提高一代，芯片生产线建设成本至少增加一倍，多数生产原材料成本也大大增加，比如光刻胶等等。而且集成度越高，芯片布图越复杂，需要的工序步骤越多，这也增加成本。因此，制程提高一代，单颗芯片的成本（你说的一次成本）是增加而不是降低。先进制程使芯片成本降低指的是按照单个晶体管计算，先进制程因为单位面积晶体管数增加而降低。

台积电第一代的7nm工艺也没有用到EUV光刻工艺，和中芯国际的这个N+1代N+2代工艺其实是一回事，台积电第二代7nm工艺也只是用了4层的EUV光刻，7nm工艺需要三十多到光刻工序，台积电只用了八分之一而已。
围堵的的结果是逼中国趟出一条血路，美国才不管荷兰企业的死活，中国技术突破一点美国就放开一点，反正就是增加中国的成本推迟中国发展的速度，给美企赢时间。

14nm工艺目前够用了，芯片大点没有关系，只要性能跟上就行，我们可以把手机屏幕做大点，原来是6吋的屏目前做成7吋的，就可以多出来空间来放芯片和电池，目前的问题不就可以解决了吗，我们再抓紧时间研发，过不了5年我们就可以掌握更先的技术了。
就加大手机厚度，扩展内部空间，芯片位置设置散热孔。加大电池容量。目前这个情况没得改还有什么办法？再慢慢提升光刻机性能。总有一天是可以做到和外国一样的，目前不是没办法这么快改观嘛！

其实不用分析大家都明白，在此领域我们相差的不仅很多而且差距很大，这是事实，但差距这么大我们又能如何办，除了卧薪尝胆奋起直追没有第二条道可走。两弹一星也是从无到有发展起来了，我想困难是有的，而且很大，研制发展道路也会很长，而且很艰巨，但我们已别无选择，撸起袖子加油干吧。

中芯国际是在梁孟松博士主导下研发的N+1工艺，是不需要荷兰ASML7nmEUV光刻机生产7nm芯片的一项芯片制程技术，从目前所披露的信息，用该技术生产的芯片其性能接近EU∨的7nm芯片，预计2020年底进行小批量试产。
中芯国际14nm工艺已经可以量产了，这项技术将满足国内90%以上芯片生产，12nm芯片已经进入客户导入阶段。更重要的是，中芯国际已经在发展新一代的N+1、N+2工艺，并且中芯国际N+1，和N+2工艺目前都不用EUV工艺，也可以搞定7nm芯片制造！
中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，简单来说N+1基本可以达到7nm工艺极别水平，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，这意味着什么呢？没有7nmEUⅤ光刻机我们依然可以做出手机高端芯片，虽然N+1工艺做芯片的未能全面达到7nmEUV制程芯片的性能，但不失为我们目前抗衡美国追杀华为的最好接替方案。
原本中芯国际是可以生产7nm芯片了，但在特朗普的干扰下，从荷兰订购的7nmEUV光刻机迟迟未送达，卡住了中芯国际的技术突破。所以中芯国际目前不得不开始寻找新的出路，目前中芯国际的14nm产能在急速爬坡，预计今年能够达到15K，相信不久的将来，美国再想以芯片阻止国内企业的发展已无可能。
在此我们看到，中芯国际己找到手机高端芯片7nm生产的替代方案，虽然芯片在其性能和功耗有点差距，但这依然是中国芯片的一大进步，也是中国芯片制造的新希望！只要该方案能成功上线做出流片，开始时成品率低一点也没关系，有我们强大的国家支持，有华为，中兴大力协助，一定能战胜危机，订购的荷兰7nmEUV光刻机将会随之解禁交付，这才是真正目的。
除此之外，我们还有反击的后手吗？我个人判断，会有：中芯国际在20195月24日退出美国股市，中芯国际CEO梁孟松博士是台积电当初立下汗马功劳的功臣，张忠谋的左右手，他曾经帮助台积电在130纳米“铜制程”之战中战胜了IBM，确立了台积电在晶圆代工市场的地位。后迫不得以情况下转战三星，梁孟松拿出了他老师胡正明14nm的FinFET技术，一举将三星20nm提升到14nm，三星开始蚕蚀台积电的业务做起苹果A7，A8芯片代工，后因台积电起诉梁孟松，使其不能继续为三星打工，2017年梁孟松受邀进入中芯国际，随后有300多芯片工程师（含台积电的）进入中国，梁孟松没有好戏在手，能上这个台吗？目前的N+1工艺就是第二代的FinFET技术。让我们共同期待吧！以上纯属个人判断，请点赞关注，携手跟进！

14nm制程的芯片，通过做大体积，可以实现7nm的工艺的性能。
并且已经在实际中有案例应用这个理念：云手机，超算都是，这个理念的典型代表。
但是14nm芯片要花费的一次成本要比7nm的成本要高出4倍以上，后续产品使用中需要花费的二次费用单位时间要比别人高出2倍以上。（后面说一次成本，二次成本的问题）
先来说说，通过做大体积为啥能够实现7nm的性能？

超级计算机都知道吧，可以实现1秒1千万亿次的浮点计算（目前已经更高了）。这种超级计算机或是使用的当下主流的14nm芯片的制程工艺，使用了数千，数万块的存储和芯片来构成。
这就是一台典型的通过堆硬件，增大体积做到超高计算性能的案例。
当然超算可不仅仅是硬件的堆积，还有还需要机房的整个软件架构的布局。

超算中心机房

前段时间华为发布了：云手机，不知道有几个人关注过？

华为云手机

这个东西的核心原理就是：手机本身的芯片可以降低性能，需要计算的各类数据，通过5G网络快速的传送到服务器上面，用大型服务器的计算能力，来帮忙计算，然后将计算结果传送到手机。
比较典型的例如：渲染图片，视频，游戏等等。多个应用共同运行时，通过云端实现多线程运行。
这种应用的核心其实是，将多个14nm制程芯片的性能一起堆叠起来构成一台机房，比拼一台7nm制程的芯片。
原理上说，同14nm增大体积达到更高的7nm制程芯片，是一样的含义。
这样就是一台：终端低配，云端高配的“云手机”。
那么既然可以通过堆积硬件，解决性能问题，为啥我们还要追求7nm，5nm，甚至是1nm制程呢？

这就要说到，芯片本身的情况了。
所谓的14nm，7nm是指光刻机蚀刻机的光源波长。
如果想要通俗的理解，那就是14nm的刻线光源波长要比7nm更长，刻线的宽度更宽。但是这里有一台需要注意，实际的蚀刻中蚀刻的线槽并不是2倍的宽度关系。（光源照射蚀刻液，蚀刻液腐蚀硅片）。

芯片放大的晶体管图

一台芯片的光刻过程要经过30次左右的光刻过程。

实际刻出来的线路槽

事实上光刻是重复性的过程。光刻——金属沉积进入蚀刻后的槽中——化学清洗不需要的金属（铜）——再光刻——再沉积——再清洗……。如此往复。
最终形成的整个硅片上面的电路是一台立体化的，并不是一层，一般情况都在10层以上，数千万，甚至数亿的门电路。

光刻机的光刻过程

那么这里可以回到问题：单个芯片14nm和7nm工艺制程的差距

如果要让14nm达到7nm工艺状态下，门电路的数量相同。（暂且不考虑集成度，以及各类功率的问题，这个后面聊）
在硅片厚度一定的状态下，14nm制程芯片面积至少是7nm芯片的4-6倍。
这个差距就很明显了。实际情况下，7nm芯片要达到14nm芯片的性能也不需要同14nm芯片有相同数量的门电路数量。
晶体管越小后，整个芯片集成度越高，同时能耗也可以做的更低。
其实是后续的能耗问题，直接决定了，手机，电脑等设备电池的大小，以及终端设备的大小问题。
这也就是说到，我们最开始关于：一次成本，二次成本的问题。

一次成本是芯片材料消耗的成本，14nm体积大消耗的材料更多，由于芯片良品率本身就不能达到100%的情况。所以残次品也要算到一次成本中。这样就造成了，14nm芯片想要高性能，就需要付出更大的成本。
二次成本，就是我们说的能耗，终端散热，以及终端体积过大，有多少人愿意，为这个又大又笨拙的芯片买单的市场成本问题。很显然二次成本，伴随着芯片使用量越大，14nm制程工艺想要达到7nm芯片需要付出翻倍以上的成本。

这也是为啥中芯国际实现了14nm制程，依然要不断追求7nm的核心原因。一旦7nm普及，14nm的竞争力是呈现10一倍以上竞争力下降。可喜的是，中芯国际目前N+1制程可以实现7nm。但稳定生产还需要时间。

中芯国际能够达到14nm工艺离不开曾经就职于台积电的梁孟松博士，算是填补了国内14纳米的制造工艺，而且目前的14纳米技术已经成功应用于市场上，在国家半导体鼓励半导体快速发展的阶段首先要感谢像梁博士这种高级人才在这方面做出的贡献，华为公司已经把中低端芯片生产订单交给中芯国际去制造，也是对国内芯片制造产业的一种支持，同时也能减少华为公司芯片制造的风险，毕竟只是单纯的依靠台积电一家企业，或是存在一定的风险，有了中芯国际的在中低端的支撑起码给华为公司吃了一台定心丸。

芯片难度主要分成两块，芯片的设计和芯片的制造工艺，在芯片设计上华为公司已经在集成芯片上有了长足的进步，在基带芯片方面已经跨入高端的行列，中兴在芯片设计上也有了很大的突破已经在7纳米实现了量产，这些都证明在芯片设计上国内的巨头企业已经有了突破，在龙头的带动下芯片必然能够一定程度上带动产业的发展。但在芯片制造工艺上差距或是非常明显，好在中芯国际在2017年赢来了梁孟松博士及其300多人的技术团队，这个团队在台积电以及三星公司都创造出巨大的成绩来，中国的芯片制造需要这种强有力的团队带动，中国的发展虽然迅速但在精细化工艺上明显的人才储备不够，需要有高水准的人才带动产业的发展。

梁孟松博士主导的FinFET手艺在此基础上延伸的N+1，N+2已经在积极的准备中，N+1算是对14纳米技术的升级版本，不仅仅在机能，功耗，逻辑面积上都有了较大程度的提升，预计在2020年底量产，N+1的工艺其实已经开始向着7纳米的技术迈进了，但是在规格上还存在很大的差异，其实从理论上讲可以将体积和功耗大一些，在工艺上先能够达这种过度的方式，中芯国际只要能够让梁孟松博士继续领导团队在7纳米技术上实现突破只是时间问题，还要保护这些技术人才不被外来的势力所迫害，也算是给中国的芯片制造点燃一台烛光，星星之火可以燎原。

本来中芯国际已经从荷兰ASML公司订购了7纳米的光刻机，但是由于美国一直在施加压力，这件事一直处于搁浅的状态，所以发展自个的制造工艺已经是必须要走的路，目前已经没有捷径可以走了，所以梁孟松博士推出N+1，N+2的方案就属于创新性的制造工艺，如果能够稳定的研发下去在将来突破7纳米技术也不是不可能的，国内由于之前的基础太过于薄弱相关的技术人员储备太差，而且由于国外技术上的封锁让荷兰的ASML公司已经成为垄断性质的存在，而且能够买到ASML公司产品的企业都要看美国的脸色，这就是技不如人的后果。

本来在中芯国际突破了14纳米的技术之后，荷兰的ASML松口卖7纳米的技术给中芯国际，其实也是为了抑制其快速发展的势头，抑制其自主的创新性，不想中芯国际未来成为最大的竞争对手，就整体而言国内半导体缺口或是非常的巨大，无论从半导体的零部件，或是芯片制造，芯片设计，原材料的加工等等几乎绝大部分都要依赖进口，国家在政策上也在不断的修正就是为了让国内的半导体行业能够快速的壮大起来。希望中芯国际的势头不要被外界的势力所干扰，能够持续的创新下去，起到龙头的带动作用也是国之幸事，希望能帮到你。

按现有中芯的实际进度，根本不需要题主的这种假设，因为中芯已经在逐步向7nm工艺前进！我们不妨来看看中芯现有的发展情况吧！
1、中芯14nm已经量产：
早在2019Q3中芯14nm就开始小规模量产，后续产能开始逐步爬坡，预计到2020年底将达到15000万片，最终产能应该是达到2万片。
2020年1月的时候，华为将自个的14nm芯片转交给了中芯进行代工生产，双方的这次合作可谓双赢。中芯代工可以避免华为未来进一步为被美国限制，同时也能解决中芯收入的问题，从而让中芯有较为充足的资金进一步支撑研发。当然，14nm工艺量产后不光是给华为生产手机芯片，还将会给其他行业生产。

2、中芯N+1新制程进度：
在2020年2月的时候中芯公布了自个的新工艺制程的进度，也就是FinFET 制程 N+1 代，对于这代新工艺中芯并没有明确表示是7nm或8nm，但是从中芯公布的一些参数来看，坊间均猜测这代属于7nm低功耗版本，相比14nm工艺，N+1代功耗降低57%，效能增加20%，Soc面积和逻辑面积分布介绍55%及63%。从这些数据上来说，N+1这代工艺足以让芯片上的晶体管密度翻倍。

目前N+1代中芯已经2019末时进入到了客户验证导入阶段，按现有进度到2020年底就可以实现小规模的量产，到2021年时可以实现量产。
在中芯的规划中还有N+2代的工艺，对于这代业内人士认为仍旧属于7nm工艺，但性能相比N+1会有较大的提升，属性高性能的版本。

3、关于7nm光刻机的情况：
最后再聊一下EUV光刻机的事情，目前中芯从ASML订购的7nm光刻机一直未到位，显然这块也是被卡脖子了。不过，对于这种现状中芯认为在N+1制程上本身用不上EVU，等7nm光刻机就位后再将转到EUV上。
从当年台积电的情况来看，在没有EUV光刻机的情况下，可以通过DUV多重曝光来解决，可能中芯届时也会采用这种方式，不过对中心而言这其中还有很多技术问题要解决。
Lscssh科技官观点：
综合而言，以中芯现有的规划发展，如果顺利那最迟在2021年结束的时就能实现7nm制造工艺，完全没必要去考虑题主的各种假设。

感谢阅读，给点个赞鼓励下呗，欢迎关注【Lscssh科技官】，谢谢~~

在下了订单的那台EUV极紫外光刻机没到货之前，中芯国际几乎没可能达到真正意义上的7纳米水平。
中芯国际7纳米研发看来是还没有结束。刚刚，针对被美国列入实体清单，中芯国际在发布的公告中称：“经公司初步评估，该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响，对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响”。其中，“重大不利影响”6字自然引人注意，“研发”2字就是格外引人注意的了，而“10nm及以下先进工艺”当然包括7纳米，重点是，7纳米作为一项工艺还在研发当中，即没有全面结束？不仅仅是断炊，美国及其盟国盟友将拒绝提供相关工艺，明明包括“极紫外光技术”。
梁孟松几天前在“辞呈”中是如何说的？“目前，28nm, 14nm, 12nm, 及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段”。7纳米技术的开发虽然说是全面“完成”了，量产却是“风险”性的，也就是技术问题还没有完全确认或者叫充分确认，试产性质，结果有可能会是良品率不高、性能不稳定的，当然一定是7纳米DUV芯片，而5纳米、3纳米技术则一定是进入了部分开发阶段，全面开发“只待”EUV，没有EUV就不可能有5、3纳米EUV芯片。那么，梁孟松所说与中芯国际所告是不是基本符合的？
台积电7纳米+芯片是EUV芯片。量产速度为公司史上最快之一，在2019第二季度就已实现，在良品率上迅速达到了已经量产 1 年多的7nm工艺的水平，相比于早在2018便量产的7nmDUV芯片在性能上有了15~20％的晶体管密度提升，同时降低了功耗。台积电的工艺能力固然是强的、制造水平固然是高的，全世界顶级芯片制造商嘛，但7纳米+技术实现的背后功臣无疑是EUV极紫外光刻机，台积电后来实现的5纳米技术量产同样，业内人士认为如若没有EUV，芯片制造步骤将多出至少100步，良品率当然受影响。这是不是意味着中芯国际若能达到真正意义7纳米或台积电7纳米+的水平，也必须“只待”EUV光刻机？开发工作才能够全部完成了？才能最终生产出“零缺陷”的7纳米芯片。估计，在美国悍然地把中芯国际列入实体清单之下，荷兰就更不会让ASML供应那台EUV光刻机了，至少是更加遥遥无期了，即便新就任的副董事长蒋尚义去和ASML公司谈判。
看上去中芯国际10纳米及以下工艺显然还没有达到先进水平。按中芯国际公告所载，连包括极紫外技术的10纳米技术节点都没有达到先进，或者在被断供之后就达不到先进了，由于没有达到自有。在也被美国列入实体清单之下，包括10nm在内的“先进工艺的研发及产能建设”就会面临“重大不利影响”，影响“不利”就够受的了，竟然或是“重大”的，尽管既有梁孟松又有蒋尚义 2 个技术大咖，却或是差在 1 台 7 纳米极紫外光刻机上。即便梁孟松真的如不少网友所愿、所吁，辞任后去了华为那里，华为也不会因为有了 1 个梁孟松于是就有了台积电那样的 7 纳米芯片，更不要说 5 纳米的了。
中芯国际“稳定的最高水平”应该是N+1意义上的7纳米。因为中芯国际说已经规模量产了。中芯国际的7纳米不是台积电的7纳米+，更类似于台积电、三星的10纳米，或者三星的8纳米；即使是未来的N+2，仍然不具备高且稳的性能。所以，从严格的意义上讲，不能说“世界上达到 7 纳米水平的已经不止台积电，还有三星、将有中芯国际”，只因为后 2 家的7纳米都不是前 1 家的 7 纳米，所谓不是就是指在性能上，台积电的性能高、功能全、无缺陷，标准的、地道的，至于“中芯国际和台积电之间只有1代的差距了”这个说法就更不靠谱了。不能不提到，中芯国际达到7纳米、三星达到14纳米都与梁孟松的能力有关系，梁孟松真的很厉害！同时，任职仅1000多天，就从28nm到7nm共提升了5个世代，足见中芯国际也够厉害！技术基础或是蛮高的，科技队伍能力或是蛮强的，全球第四强的确实至名归。自然，台积电就更厉害了！要不然，梁孟松离开后到三星、来中芯国际就不会都那么厉害。最厉害的，当然是ASML！

感谢您的阅读！

我们要不要过分夸大中芯国际呢？14nm能够发挥7nm工艺的水平？如果说14nm高于12nm，我是相信的，毕竟当年的iphone 6s的两个处理器是混用的。但是，iphone 6s虽然有高通的版本，但是和三星一比，确实14nm的功耗更低，续航更强。

那么，台积电目前什么情况呢？

。

确实，在不断更新技术的同时，虽然中芯在努力，可是目前的国际社会中，相对比较薄弱，我们知道的是，高通已经发布X60基带，基于5nm工艺。

所以，中芯的技术，或是偏落后的。本来答应中芯的AMSL的7nm EUV光刻机，也因为大火而推迟了，确实我们也能够感受到这种无奈，因为各种限制，中芯国际的光刻技术频频受阻。

而14nm即使如何优化，都很难达到7nm工艺的优势，特别是7nm EUV。虽然，台积电用DUV做到了7nm，可是只有EUV才能更好的控制成本，也为以后的发展做准备。
中芯虽然很努力，但是想弯道超车，估计有点悬了。

可以的，14nm和7nm的差别就是相同面积下晶体管的多少，相同频率下，晶体管越多，计算能力越强。
有一台现成的例子：
intel和AMD，目前AMD的zen3架构就是7nm工艺，但是性能上却和intel的coffee lake架构处理器（九代）打的不相上下，这就是面积的问题。
AMD使用的zen3架构是类似一台集装箱，一台集装箱有4个核心，这样的好处的就是可以堆核心，如线程撕裂者，但是这样的问题就是相同核心线程的情况下，芯片的面积比intel小，这就是差距

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

相关问题更多>

最新回答