我们在买内存的时候经常会看到有网游提问“这款内存时序如何样?”,也经常会在商品详情页看到关于内存时序的介绍。那么内存的时序到底是指什么呢?
内存的时序其实就是内存的反应时间,当内存收到CPU发来的指令后,多长时间做出反应,这就是内存的时序。要想反应的越快,时序就要越短。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例,时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数
tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间
越低的时序代表颗粒体质越好,超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加,内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CL x 2000 )/内存频率。
DDR:(CL3*2000)/400MHz=15ns
DDR2:(CL5*2000)/800MHz=12.5s
DDR3:(CL9*2000)/1600MHz=11.5ns
DDR4:(CL15*2000)/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加,但最后内存的延时并没有太大的变化。频率相同时,时序越低,延迟也就越小。同样,时序相同时,频率越高,延迟也就越小。